M80110-3/UM型 LPCVD设备
产品型号:M80110-3/UM型
产品简介:低压化学气相淀积设备(LPCVD),是在 20 ~ 300PA左右的反应压力下,通过气体的化学反应生成固体反应物,并使其淀积在硅片表面形成薄膜的工艺设备。M80110-3/UM型是我司第三代大产能LPCVD设备,适用于晶硅电池行业中的TOPCON电池多晶硅薄膜的制备,具有产能大、工艺效果好、兼容原位掺杂工艺等特点。
应用领域:新能源-光伏产业链生产企业
核心参数:成膜种类:SiOx、Poly—Si、原位掺杂
方阻范围:100-300nm
石英管内径:≥420mm
典型装片量:182硅片:1400片/舟; 210硅片:1200片/舟
182硅片:≥1400片/舟(常规方形);210硅片:≥1200片/舟(常规方形)
温度控制范围:400℃-700℃
遂穿层均匀性:片内≤±0.2NM、片间≤±0.2NM、批间≤±0.1NM
本征层均匀性:片内≤5%、片间≤4%、批间≤3%
原位掺杂均匀性:片内≤5%、片间≤5%、批间≤4%
温度控制范围:400℃ -700℃
恒温区长度及精度:≤±1℃/1700mm (500℃ -700℃)
工作压力:20 - 300Pa(闭环控制)
联系人:黄凌飞 联系方式:18684881206